（半导体物理）空穴迁移率：衡量空穴在电场作用下运动快慢的参数，通常记为 μ，单位常用 **cm/(Vs)**。数值越大，表示空穴越容易在材料中移动（受散射、温度、掺杂等影响）。
/hol mblti/
The hole mobility is lower than the electron mobility in silicon.
在硅中，空穴迁移率通常低于电子迁移率。
As temperature rises, increased phonon scattering can reduce hole mobility, affecting the on-current of p-channel MOSFETs.
随着温度升高，声子散射增强会降低空穴迁移率，从而影响 p 沟道 MOSFET 的导通电流。
hole 在半导体语境中指“空穴”，并非字面上的“洞”，而是价带中缺失一个电子所表现出的等效正电荷载流子概念；这一用法源自早期固体物理对能带与载流子行为的理论表述。mobility 来自拉丁语 mobilis（可移动的），在物理学中引申为“在外力（如电场）作用下的运动能力”，组合后即“空穴的迁移能力/迁移率”。
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